| プログラム |
| 9:25-9:30 |
Opening Remarks: 横川慎二 ｢電気通信大学] |
チュートリアルセッション（9:30-12:40）
座長：樋爪俊一 [ラムリサーチ]、近藤誠一 [日立化成工業] |
講演1
9:30-10:30 |
データの価値判断による不揮発性メモリの高信頼化
竹内 健 （中央大学 理工学部電気電子情報通信工学科 教授） |
講演2
10:35-11:35 |
エンドポイントにインテリジェンスを：スマートファクトリーを実現するe-AIソリューション
傳田 明 （ルネサスエレクトロニクス株式会社 IAソリューション事業部 事業部長） |
講演3
11:40-12:40 |
自動車世界戦争は日本企業に最大の追い風 ～センサー、マイコン、電池、素材でトップ獲得へ～
泉谷 渉 （株式会社産業タイムズ社 代表取締役社長） |
| 12:40-12:45 |
休憩 |
ランチョン・ポスターセッション (12:45-14:10）
座長：武山真弓 [北見工業大学]、多田宗弘 [NEC] |
| P-1 |
局所クラスタ化した欠陥を伴うTDDB の寿命分布のパラメータ推定精度の研究「電気通信大学] 國井喬介, 遠藤駿, 横川慎二 |
| P-2 |
エレクトロマイグーション のチップレベル 寿命分布の考察 [電気通信大学] 横川慎二, 國井喬介 |
| P-3 |
Lifetime Prediction of Humidity Resistance on Cu-based Metallization for Long-term Storage [1Shibaura Institute of Technology, 2The University of Electro-Communication, 3 SIT Research Center for Green Innovation] Ploybussara Gomasang 1, Satoru Ogiue 1, ShinKi Yokogawa 2, and Kazuyoshi Ueno 1,3 |
| P-4 |
LSI微細 配線に向けた無電解 配線に向けた無電解 CoBめっきの検討[関西大学] 深堂秀亮, 井芹崇樹, 森田康生, 清水智弘, 伊藤健, 新宮原正三 |
| P-5 |
固体の電気インピーダンス解析 ～エゾシカ肉の生体測定～ [北見工業大学] 武山 真弓, 佐藤 勝 |
| P-6 |
SiO2上に形成した無電解CoB膜のCu拡散バリア性に及ぼすW添加の影響 [関西大学] 井芹 崇樹, 深堂 秀亮, 清水 智弘, 伊藤健, 新宮原 正三 |
| P-7 |
超臨界流体中でのPt エッチング [山梨大学] 近藤英一, 荻原佑太 |
Award記念Poster
昨年までのADMETAにおいてAwardを受賞された講演のいくつかについて、受賞以来の研究の進捗を含めて、Posterにて再度ご発表いただく場を設けました。当時聞き逃された方は、ぜひこの機会をご利用ください。 |
| P-AW1 |
Synthesizing Sulfide Semiconductor Materials by using High-speed Electrodeposition and its applications [Osaka Prefecture University] Naoki Okamoto, Haruka Tamura, and Takeyasu Saito |
| P-AW2 |
三次元積層向けウェハの裏面研削によるダメージ評価 [富士通研究所] 水島賢子 |
| P-AW3 |
枚葉式高速回転MOCVD装置による高品質HEMTの開発動向～InAlN/GaN系HEMTを中心に～ [ニューフレアテクノロジー] 宮野清孝 |
| Late News Poster |
| LNP-01 |
SiO2上への多層グラフェンの直接形成における電流の効果 [芝浦工業大学、SITグリーンイノベーション研究センター] 田村智洋、田村直也、上野和良 |
| LNP-02 |
薄いHfNx膜上でのCu膜の配向性評価 [北見工業大学] 佐藤 勝, 武山 真弓 |
| LNP-03 |
トルエンを用いた2ゾーンCVDによる銅表面上へのカーボン膜低温堆積 [芝浦工業大学、SITグリーンイノベーション研究センター] 荻上哲、阿部拓実、上野和良 |
| LNP-04 |
Pt/TiN/C構造を用いた不揮発性抵抗変化型メモリの検討 [1 芝浦工業大学, 2 SITグリーンイノベーション 研究センター] 工藤直輝
1, 上野和良1 2, 柴田遼眞 1, 夏谷貫太 1 |
| LNP-05 |
プレーナ型Siナノワイヤ熱電発電デバイスの排熱効率を向上する基板材料および貫通基板構造の検討 [1 早稲田大学, 2 群馬大学, 3 大阪大学, 4 静岡大学, 4 産総研] 富田 基裕1、大場 俊輔1、姫田 悠矢1、大和亮1、島 圭佑1、熊田 剛大1、徐 茂1、武澤 宏樹1、目崎 航平1、津田 和瑛1、橋本 修一郎1、詹天卓1、張 慧1,2、鎌倉 良成3、鈴木 悠平4、猪川 洋4、池田 浩也4、松川 貴5、松木 武雄1,5、渡邉 孝信1 |
| 14:10-14:20 |
休憩 |
招待・一般講演セッション１（14:20-15:55）
座長：前川和義 [ルネサスエレクトロニクス]、鈴木恵友 [九州工業大学] |
SS3-0
14:20-14:35 |
ADMETA 2018 報告 (中塚 理 [名古屋大学], Xun Gu [Western Digital] |
SS3-1-1
14:35-15:-05 |
招待講演：Ru liner scaling with ALD TaN barrier process for low resistance 7 nm Cu interconnects and beyond [IBM Research] Koichi Motoyamaほか
※講演は日本語で行われます |
SS3-1-2
15:05-15:35 |
招待講演：ハイブリッド接合の安定化と高信頼化に向けた極薄Mn膜を用いた新接合プロセス [株式会社東芝] 内田健悟, 津村一道, 中村賢朗, 東和幸, 杉崎吉昭, 柴田英毅 |
SS3-1-3
15:35-15:55 |
極薄TaWN バリヤ上のCu(111)配向制御 [1北見工業大学, 2東レリサーチセンター] 武山 真弓1, 安田 光伸2, 佐藤 勝1 |
| 15:55-16:05 |
休憩 |
招待・一般講演セッション2（16:10-17:30）
座長：竹口 直樹 ｢Western Digital｣、梶田明広 [東芝メモリ] |
SS3-2-1
16:05-16:35 |
招待講演：P型GaN上に形成した単結晶Al配線およびそのGaN FETへの応用 「パナソニック株式会社] 原田剛史ほか |
SS3-2-2
16:35-17:05 |
招待講演：高集積プログラマブルロジックに向けた原子スイッチ技術の開発 [日本電気株式会社 NECシステムプラットフォーム研究所] 阪本利司 |
SS3-2-3
17:05-17:25 |
SixGe1-x-ySny 三元混晶界面層の結晶物性が金属/Ge 界面Schottky 障壁高さに及ぼす影響 [1名古屋大学大学院, 2名古屋大学 未来材料・システム研究所, 3日本学術振興会, 4名古屋大学 未来社会創造機構] 中塚理1,2, 鈴木陽洋1,3, 坂下満男1, 財満鎭明4 |
| 17:25-17:30 |
Closing Remarks: 横川慎二 ｢電気通信大学] |
