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9:00
〜10:00 |
「ULSI配線技術の基礎と最新動向」 |
| 磯林 厚伸 (株)東芝 |
| ロジックLSIを中心に、低抵抗化、低容量化、高信頼性化を目指したCu配線／低誘導率（Low-k）絶縁膜形成技術の開発が行われている。その一方で、三次元積層など微細化に依らない高性能化の動きも活発化している。本講演では、Cu／Low-k配線技術の基礎とインテグレーション上の課題を説明し、さらにポストCu／Low-kや三次元積層技術などの最新技術動向について述べる。 |
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10:00
〜11:00 |
「研磨とめっき −温故知新、技術の変遷と未来創造−」 |
| 辻村 学 (株)荏原製作所 |
| 1980年代米国で始まったCMP技術は現在の最先端デバイスの平坦化にはなくてはならない技術となっている。まためっきも、半導体製造プロセスのいたるところに登場する。多層配線における銅ダマシン技術は有名であるが、多層配線のCuキャップ、後工程のバンプ、再配線などがある。本講演では、半導体プロセスにおける「研磨とめっき」を基礎・原理から応用まで、最新の話題を含めて紹介する。 |
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11:00
〜12:00 |
「半導体リソグラフィ技術の最新情報」 |
| 八重樫 英民 東京エレクトロン(株) |
| 縮小投影法を用いた光リソグラフィ技術は半導体デバイスの微細化要求に対応して発展を続け、その進歩を支えてきた。本講演では現行の微細化技術の代表例であるマルチパターニング技術を中心に、次世代のEUVやDSAも含めてリソグラフィの現状と将来動向について紹介する。 |
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12:00
〜13:15 |
休憩（昼食） |
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13:15
〜14:15 |
「ある大学の研究者は集積回路技術の変化をどう考えたか？ そして今。」 |
| 益 一哉 東京工業大学 |
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今になって振り返れば、微細化一本槍、特徴の少ない製品開発を行った我が国半導体の多くはハーメルンの笛に導かれたネズミであった。夢物語としてではなく、産業に繋がりそうな未知なるものへの挑戦は残っていると仮定すれば、やるべき方法はいくらでもある。未だ大学の研究開発レベルに留まってはいるが、本講演では加速度センサーとその応用を事例として、未知なるものへの挑戦について論じる。 |
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14:15
〜15:15 |
「ますます進化する半導体パッケージと実装材料技術」 |
| 高野 希 日立化成(株) |
| 半導体パッケージの構造は、デバイスの超微細化に対応した高密度実装にとどまらず、パッケージやデバイスを積層する３次元実装へとより複雑化している。本講演では、このように複雑化する半導体パッケージに使われる先端実装材料技術を紹介する。 |
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15:15
〜15:35 |
休憩 |
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15:35
〜16:35 |
「LSI光インターコネクションに向けた光集積回路技術」 |
| 堀川 剛 産業技術総合研究所 |
| シリコンを光の導波や変調の素材とするシリコンフォトニクス技術について、デバイス動作原理やCMOS技術による製造などを中心に解説する。さらに、シリコンフォトニクス技術による光集積回路を用いたLSI光インターコネクション開発の現状について紹介する。 |
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16:35
〜17:35 |
「電動車両におけるパワー半導体技術」 |
| 石子 雅康 (株)豊田中央研究所 |
| ハイブリッド車のシステム概要を紹介した後、キー技術である電力変換装置（インバータ／コンバータ）を構成するパワー半導体（IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor、FWD:Freewheeling Diode）の現状や、次世代のSiCやGaNに関して報告する。 |
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17:35
〜17:55 |
「ADMETA plus 2016（Seoul、 Korea）の報告」 |
| 中塚 理 名古屋大学 |
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ADMETA plus 2015 は、2015 年9 月に韓国・ソウル大学で開かれ、ADMETA Asian Session 初めての海外開催となった。韓国での会議の様子について紹介し、主な講演の内容を報告する。 |
