チュートリアル講演

2023年10月11日 9:55～18:20 (JST)　受付開始：9:30

はじめに　9:55～10:00　

講演①　10:00～10:45　
半導体の最新市場動向～市場も設備投資も24年回復へ，外資も日本に注目
株式会社産業タイムズ社　甕 秀樹 様
23年の半導体市場はマイナスが必至の状況だが，24年以降は回復が期待される。一服感のあるメモリーやファンドリーの設備投資も，徐々に回復していくとみられる。また，日本国内では，TSMCの日本工場（JASM）やRapidusの設立、パワー半導体メーカーの相次ぐ増産投資が牽引車となり、業界全体で設備投資熱が高まっているが，海外メーカーも日本に注目し始めている。

講演②　10:45～11:30　
プラズマを用いたALDの基礎とALEへの展開
名古屋大学　小林 伸好 様
プラズマALDの特徴を概説した後，代表的な半導体応用である，低温での絶縁膜成膜とそのメカニズムを説明する。 更に，名大にて展開している，原子層エッチング(ALE)の研究開発を紹介する。

講演③　11:30～12:15　
BEOL配線メタルプロセス・インテグレーションの基礎
アプライドマテリアルズジャパン株式会社　松永 範昭 様
多層配線のインテグレ－ションは“配線の性能と信頼性と”いう2つの課題を解決することで発展してきた。本講では過去から先端ロジック向け多層配線技術までを俯瞰しながらメタルプロセス技術の基礎から先端メタルプロセスについて理解を深めたい。

Lunch・名刺交換　12:15～13:15　

講演④　13:15～14:00　
リソグラフィの技術の基礎
エーエスエムエル・ジャパン株式会社　森崎 健史 様
本講演では，リソグラフィ技術の基礎，歴史，今後のロードマップについてEUVなどの最新技術動向，リソグラフィ技術の環境配慮に対する話を交えながら解説する。

講演⑤　14:00～14:45　
エッチング技術の基礎と応用
株式会社日立ハイテク　大竹 浩人 様
プラズマを用いた反応性イオンエッチングから最新の原子層エッチングについて，基礎から最近の技術動向ならびに今後の展開を議論する。

休憩・名刺交換　14:45～15:00　

講演⑥　15:00～15:45　
CMP後の洗浄技術
株式会社荏原製作所　今井 正芳 様
半導体製造工程の洗浄プロセスにおいて，CMP後の洗浄は非常に特異であることを紹介し議論する。

講演⑦　15:45～16:30　
3D NANDにおけるプロセスチャレンジ
ウエスタンデジタル合同会社　寺澤 佑仁 様
ストレージ3D NANDの基本的構造と特有のプロセスの技術動向について解説する。

休憩・名刺交換　16:30～16:45　

講演⑧　16:45～17:30　
次世代のデバイス・パッケージのための表面・界面設計および接合技術
NIMS　重藤 暁津 様
積層技術や表面改質手法に関し，前工程と後工程の境界が薄れつつある現状で必要な要素技術と，将来の展望。

講演⑨　17:30～18:15　
複雑化する実装構造と，そこに使われる材料 – How materials can contribute to 3D packaging? –
株式会社レゾナック　乃万 裕一 様
3Dパッケージをはじめ，実装構造がなぜ高度化・複雑化するかについて，既に20年以上使われているフリップチップ実装(2D)の課題を説明したうえで，3D/2.5D/2.3D/2.1D/Bridge構造の特徴や，そこに使われる材料を紹介する。

おわりに　18:15～18:20