日 時：2010年10月19日（火）
10:00--11:00（60分）
Cu/Low-kインテグレーション技術の現状と将来動向
福山 俊一 富士通セミコンダクター
Low-k膜は、SiO膜へのC導入から、膜中への空隙を導入したポーラスLow-k膜による低誘電率化へと推移し、実用化が進められている。一方、ダマシン配線の埋め込み性は、配線の微細化により益々困難になってきた。本講演では、ポーラスLow-kを用いた超微細配線を信頼性の視点を交えて解説する。
11:00--11:45 （45分）
Low-k膜開発の変遷
宇佐美 達矢 ルネサスエレクトロニクス
Low-k膜導入当初から現在までの失敗から改善の歴史を紹介し、今後の方向性についても述べる。
11:45--12:30（45分）
高精度ドライエッチング技術
林 久貴 東芝
微細加工技術を支えるドライエッチングの基礎知識と、さらなる微細化・高精度化に向けた最近の研究事例を述べる。
12:30--13:30 休憩（昼食）
13:30--14:15（45分）
環境エネルギー革命がもたらすデバイスインパクト
泉谷 渉 半導体産業新聞
オバマ大統領の環境エネルギー革命の宣言に端を発し、世界的な運動論が進む。
スマートグリッド、LED照明、太陽光発電、水処理など、さまざまな分野で巨大
な市場がつくられようとしている。半導体をはじめとする電子デバイスは、この
環境エネルギー革命に、大きな貢献を果たす。
14:15--15:00 （45分）
低抵抗Cu配線形成技術に必須な冶金学（Metallurgy)
伊藤 和博 京都大学
低抵抗Cu配線形成技術に必須な極薄バリア層形成や粒成長機構の理解について冶金学（Metallurgy)的な観点から基礎知識を解説する。
15:00-15:20 休憩
15:20--16:05 （45分）
CMP技術の課題と今後の動向
千葉原 宏幸 ルネサスエレクトロニクス
現在の半導体プロセスで使われているCMP技術の概要とその課題に触れ今後の技術動向を考える。
16:05-16:50（45分）
カーボンナノチューブのLSI配線応用と低温高密度成長
酒井 忠司 東芝
カーボンナノチューブの基本的な特性とLSI配線材料としての可能性・課題について述べると共に、開発の現状について重要課題である低温高密度のカーボンナノチューブ成長技術開発を中心に紹介する。
16:50-17:35（45分）
次世代携帯電話の開発動向と実装技術への期待
岡崎 浩司 ＮＴＴドコモ 先進技術研究所
電子マネーやGPSなど生活インフラとしての機能を搭載した携帯電話が将来，さらなる進化を遂げるには，これまでにない機能やサービスを提供することが求められる。本講演では，今後の携帯電話の開発動向およびドコモにおける研究事例を述べるとともに，携帯電話の高機能化・高性能化に向けた実装技術への期待を述べる。
※講演は，すべて日本語で行われます。
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