日 時：2012年10月22日（月）
10:00--11:00（60分）
ULSI多層配線技術の基礎と最新動向
磯林 厚伸 東芝
これまで、ロジックULSIを中心に、低抵抗化、低容量化、高信頼性化を目指したCu配線/低誘導率（Low-k)絶縁膜形成技術の開発が行われてきた。本講演では、Cu/Low-k配線技術の基礎とインテグレーション上の課題、最新技術動向について述べるとともに、ポストCu/Low-kとしての新しい配線技術の将来展望を概説する。
11:00--11:45 （45分）
CMPプロセスの課題と最新動向
近藤 誠一 日立化成工業
CMPが半導体プロセスに導入された歴史的背景を説明しつつ、微細化に伴って発生する課題や最新動向について説明する。
11:45--12:30（45分）
電子デバイスの配線信頼性における現状と課題
横川 慎二 ルネサスエレクトロニクス
LSI製品の信頼性を確立する上で課題となる、IMD-TDDB・EM・SIV・Solder
EMに関する基礎、最新の話題、および今後の課題について解説する。特に、IMD-TDDBにおいては、プロセスのゆらぎや試験条件によって寿命分布や信頼度が受ける影響などについて紹介する。
12:30--13:30 休憩（昼食）
13:30--14:15（45分）
メタル配線材料とその成膜方法の基礎
樋口 靖 アルバック
半導体デバイスの配線に使われる代表的なメタル材料と、その成膜方法と特徴の基礎を、スパッタ、CVD法を中心に紹介する。
14:15--15:00 （45分）
半導体エンジニアに求められる特許制度の活用方法
大嶋 洋一 特許庁
半導体関連の研究者のために特許制度の利用方法について紹介する。
15:00-15:20 休憩
15:20--16:05 （45分）
いまさら聞けない「プラズマの基礎」
堀 勝 名古屋大学
最先端のプラズマプロセスの根底をなすプラズマの基礎を、装置、気相中の電子、イオン、ラジカル、光の挙動、表面界面反応について、明快かつ簡潔に紹介する。
16:05--16:50（45分）
グラフェンの基礎物性と応用技術
永瀬 雅夫 徳島大学
ポストシリコン材料として期待されているグラフェンについて、その特徴的な基礎物性から予測される応用技術の概略を述べる。
16:50--17:35（45分）
MRAM技術の発展と今後
鈴木 哲広 ルネサスエレクトロニクス
電流磁界書き込み方式からスピントロニクスの利用に発展していったMRAM技術を振り返り、今後の課題と見通しを展望する。
※講演は，すべて日本語で行われます。
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