日 時：2014年10月22日（水）
10:00-11:00 （60分）
10 nm, 7 nm BEOL のCu配線技術の課題と、解決に必要な材料、装置
野上 毅 （IBM）
拡散バリアメタルの薄膜化、新しい拡散バリア、Cu wetting材料/技術、新拡散
バリア/ｗｅｔｔｉｎｇ layerのCMP、Cu埋め込み技術、ビア抵抗/配線抵抗、信頼性。必要となる可能性のある材料、装置について総覧する。（Low-kを除く）
11:00-11:45 （45分）
不揮発メモリの基礎と最新の研究開発動向
茂庭昌弘 （東京工科大学）
NAND Flashなどメインストリームデバイスと、製品化に向けた挑戦が続けられているMRAMやReRAMなどのエマージング・デバイスについて、不揮発メモリの基礎と最新の研究開発動向を概観する。
略歴：
北海道大学大学院工学研究科修了。日立製作所、ルネサステクノロジ、東北大学を経て、東京工科大学教授。SOI結晶成長、DRAM、SRAM、ポリシリ縦型デバイスの開発、及び、PCRAM、ReRAM等々、各種の新規不揮発性メモリの研究に従事。博士(工学)。
11:45-12:30 （45分）
最先端スケーリングと配線技術
若林 整 （東京工業大学）
最先端スケーリングと配線技術、特にローカルインターコネクト技術について、Benchmarkと共に紹介する。
略歴：
1993年3月 東工大・修士
1993年4月-2006年3月 NEC(株)
2003年9月 博士(工学) (東工大)
2006年4月-2012年12月 ソニー(株)
2013年1月- 東工大(現職)
12:30-13:30 （60分）
昼休み
13:30-14:15 （45分）
電子デバイスの新時代到来~M2Mのインパクト
泉谷渉 （半導体産業新聞）
ITの成熟化が進む中で、半導体／センサー／電子部品を大量に消費するM2Mの運動論がアメリカで提唱された。新社会インフラのチップの時代到来を最新取材でレポートする。
略歴：
神奈川県横浜市出身。中央大学法学部政治学科卒業。1977年産業タイムズ社に入社し、半導体担当の記者となる。以来30年以上にわたって第一線を走ってきた国内最古参の半導体記者であり、現在は産業タイムズ社代表取締役社長。
主な著書には『日本半導体50年史 時代を創った537人の証言』（共著・産業タイムズ社）、『日本半導体起死回生の逆転』、『次世代ディスプレイ勝者の戦略』、『半導体業界ハンドブック』、『電子材料王国ニッポンの逆襲』、『ニッポンの素材力』、『ニッポンの環境エネルギー力』、『素材は国家なり』（長谷川慶太郎との共著）『シェールガス革命で世界は激変する』（同）『世界が驚くニッポンの医療産業力』（以上、東洋経済新報社）、『これが半導体の全貌だ』、『これがディスプレイの全貌だ』、（以上、かんき出版）、『100年企業〜だけど最先端、しかも世界一』（亜紀書房）などがある。日本電子デバイス産業協会（NEDIA）副会長。
14:15-15:00（45分）
TSV/SDIC技術の基礎と動向
池田 博明 （ナプラ）
TSVの概要と製造技術、三次元積層構造における創刊接合の現状と課題、TSVを用いた回路技術、テスト技術などを、近年の学会情報により外観する。
略歴
1977年 広島大学大学院工学研究科電気工学専攻 修了
1977年 日本電気入社。DRAMの開発（設計・評価・生産）に従事
2000年 NEC日立メモリ（後のエルピーダメモリ）にて仕様標準化に従事
2004年 NEDO 助成事業「積層メモリチップ技術開発プロジェクト」に参画。並行してエルピーダメモリでの三次元積層メモリ開発に従事
2011年 技術研究組合 超先端電子技術開発機構（ASET）の三次元集積化技術研究部部長としてNEDO「ドリームチッププロジェクト開発」に参画。成果は2013年のISSCCにて発表。
“A 100GB/s Wide I/O with 4096b TSVs Through an Active Silicon Interposerwith
In-Place Waveform Capturing” （共著）
2013年より現職
2014年より神戸大学大学院システム情報学研究科 客員教授を兼務
15:00-16:00（60分）
今さら聞けない ALD/CVD の基礎と応用
霜垣 幸浩 （東京大学）
16:00-16:15 （15分）
休憩
16:15-17:15
パネルディスカッション
※講演タイトルは仮題です。
講演は日本語で行われます。
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