日 時：2011年9月12日（月）
10:00--11:00（60分）
ポーラスLow-k / Cu多層配線技術の動向と将来展望
伊藤 文則 ルネサス エレクトロニクス
微細Cu配線の低容量化と高信頼性化の両立は高性能デバイスの実現において極めて重要な課題である。本講演では低容量化に有効なポーラスLow-k膜の材料制御技術の動向とインテグレーション技術の課題および展望について概説する。
11:00--11:45 （45分）
リソグラフィ技術の基礎と展望
遠藤 政孝 大阪大学
リソグラフィ技術の原理（照明方法、マスク、レジスト、レジストプロセス）とロードマップについて解説する。
11:45--12:30（45分）
光配線とシリコンフォトニクス
和田 一実 東京大学
通信や計算の高速化・低消費電力化に対するニーズから、シリコンフォトニクスに対する関心が高まってる。本チュートリアルではシリコンフォトニクスとその現状ならびに将来の展望について分かりやすく解説する。
12:30--13:40 休憩（昼食）
13:40--14:25（45分）
世界のスマートシティ動向と半導体産業へのインパクト
望月 洋介 日経BPクリーンテック研究所
生活や産業の基盤を再構築して都市を作り変えていく「スマートシティ」のプロジェクトが世界中で動き出した。構成要素は「スマートグリッド」「スマートハウス」「スマートオフィス」など多岐にわたり、電機・IT・建設・自動車などあらゆる産業を巻き込む。世界のスマートシティの動向をまとめ、そのことが半導体産業にどのような影響を与えるのかを紹介する。
14:25--15:10 （45分）
CVDプロセス技術の基礎
山田 寛則 ノベラス システムズ ジャパン
CVDの装置とプロセスの基本技術について、最新動向も踏まえて概説する。
15:10-15:30 休憩
15:30--16:15 （45分）
配線技術の変遷と現在の課題
前川 和義 ルネサスエレクトロニクス
配線技術（材料、構造）のこれまでの変遷と現在の配線技術の課題について解説する。
16:15-17:00（45分）
CMPと洗浄の科学
森永 均 フジミインコーポレーテッド
デバイスの高集積化・低コスト化の進展に伴い、CMPと洗浄技術には常に進化が求められる。技術の進化を支えるのは、その根底にあるサイエンスの理解である。本講演ではCMPと洗浄のメカニズム、ならびに問題解決の考え方を解説する。
17:00-17:45（45分）
LSI故障解析技術 −基礎から最近の研究までー
二川 清 大阪大学
LSIの故障解析には、LSIの構造や特性に対応した独特の技術が必要であり光、電子ビーム、イオンビームなどを駆使した技術が用いられる。日常的に用いられている技術だけでなく、現在研究開発中の技術も紹介する。
※講演は，すべて日本語で行われます。
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