2009年10月に"Advanced Metallization Conference 2009: 19th Asian Session"(ADMETA 2009)が開催されます。
本会議はLSI技術に用いる最先端配線技術の会議として20年以上の実績を有しており，1989年からは日本を中心としたアジアでの著しい技術進展を鑑み，米国と日本で毎年ほぼ同時期に開催されています。今日では最小線幅50nm以下を目指したCu多層配線技術開発が活発に行なわれています。Low-k/Cu配線ではLow-k膜とバリアメタル膜の信頼性確保が重要な課題になって来ており，さらにCu配線技術はFlash，DRAM等のメモリーへの適用のため，益々応用範囲が広がっています。また，シリサイドやメタルゲートなど，トランジスタ周りでも新材料の導入が進められております。実装技術の微細化の進展も急ピッチであり，Siチップと実装基板を含むシステムでの統合的な配線技術の概念が求められています。これらの分野にて，材料技術，配線設計，信頼性，装置，コスト等の観点で解決すべき課題は山積みです。

本会議では，今後の電子デバイスの高性能化・高集積化にとってキーとなる配線技術を中心とした課題にフォーカスし，これらの課題の解決に向けて基礎から応用まで研究開発上のトピックスについて議論を行います。また，昨年からこのような現実に鑑み，従来の配線技術の方向付けを議論する会議の他に，配線の将来的問題解決を目指したワークショップを実施することに致しました。ワークショップでは，ポストスケーリングの配線技術として「3 次元配線技術」がテーマです。

本会議を通して，配線技術の発展に寄与していきたいと考えております。


ADMETA 2009 委員長　霜垣 幸浩 （東京大学）　
ADMETA 2009 論文委員長　近藤　誠一（Selete）
ADMETA 2009 広報委員長　下山　展弘（NTT マイクロシステムインテグレーション研究所）